2015年5月8日，在國(guó)務(wù)院印發(fā)《中國(guó)制造2025》中4次提到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件，可見第三代半導(dǎo)體行業(yè)在國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中的重要地位。碳化硅也得到了世界各地政府的大力支。

　　以碳化硅、件在國(guó)務(wù)院印發(fā)《中國(guó)制造2025》中4次提到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體功率器氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件在國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中處于重要地位，碳化硅也得到了世界各地政府的大力支持，當(dāng)前雖然整個(gè)碳化硅功率器件行業(yè)尚在起步階段，碳化硅但預(yù)計(jì)整個(gè)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到4000億元，專注于碳化硅 (碳化硅)材料的美國(guó)United Silicon Carbide（USCi）正在大力開拓中國(guó)市場(chǎng)。。。。。？

　　近年來(lái)，以碳化硅(碳化硅)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球矚目。由于其具有禁帶寬、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子遷移率高、熱導(dǎo)率大、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、碳化硅消費(fèi)類電子等領(lǐng)域，被視為支撐能源、交通、信息、國(guó)防等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心技術(shù)，全球市場(chǎng)容量未來(lái)將達(dá)到百億美元，已成為美國(guó)、歐洲、日本半導(dǎo)體行業(yè)的重點(diǎn)研究方向之一。